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> IXTH6N120 MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD
型号:
IXTH6N120
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXTH6N120 PDF
标准包装
30
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.6 欧姆 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
56nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1950pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247AD
包装
管件
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